半导体装置及其制造方法

摘要

本发明系抑制使电晶体作用之临限值之变动。半导体装置之制造方法系包含形成配线层10之工序；及在电浆状态中之氢为全气体成分中之1％以下之条件下，在配线层10上形成第1绝缘膜20之工序。