供浅沟渠隔离法(STI)用之化学/机械抛光方法

摘要

一种化学／机械抛光法，其用以抛光欲抛光物件(具不规则表面，具有具凸处和凹处的底质，一个制止层形成于底质的凸处上，埋藏的绝缘层形成以覆盖底质的凹处和制止层)，此方法之特征在于其包含第一个抛光步骤，其使用得以使抛光速率维持于500埃／分钟或以下的浆料(A)使得埋藏的绝缘层平整，及第二个抛光步骤，其使用得以使抛光速率维持于600埃／分钟或以上的浆料(B)进一步抛光此埋藏的绝缘层，以使得在凸处上的制止层外露。在制造半导体装置的浅沟渠隔离法(STI)期间内，此方法可用以使晶圆平坦。