发明名称 | 动态调整非挥发性记忆体之冗余区之方法及其相关装置 | ||
摘要 | 一种动态调整非挥发性记忆体之冗余区之方法及其相关装置,该方法将记忆体中的每一个记忆页重新规划成复数个记忆区及至少一冗余区,该冗余区间隔连结于各记忆区之间或该冗余区安插连结于任一记忆区最末记忆位址之后,且根据原始状态资讯而于各冗余区内预先写入记忆区块及记忆页之系统资讯,以让快闪记忆体读取装置每次读取资料时仅需载入一记忆区加上一相关联冗余区记忆容量大小之缓冲资料区块。 | ||
申请公布号 | TW200426587 | 申请公布日期 | 2004.12.01 |
申请号 | TW092114469 | 申请日期 | 2003.05.28 |
申请人 | 创惟科技股份有限公司 | 发明人 | 杨政智 |
分类号 | G06F12/02 | 主分类号 | G06F12/02 |
代理机构 | 代理人 | 陈志浩 | |
主权项 | |||
地址 | 台北县新店市北新路三段二○五号十二楼 |