半导体装置及其制造方法

摘要

本发明系实现可轻易谋求增加MIM电容器之电容密度之半导体装置。MIM电容器具备：含金属之下部电极30，31；含氧化钽之电介质膜32；含一氧化矽(SiO)层331与氮化矽(SiN)层332之下部障壁层33；及含金属之上部电极34。