利用坩埚旋转控制温度梯度以制备单晶矽之方法

摘要

本发明系针对一种制备单晶矽之方法，呈晶棒或晶圆式，其中利用坩埚旋转控制晶体中的平均轴向温度梯度，G0，做为半径的函数(即(G0(r))，特别是中心轴或附近处。此外，利用坩埚旋转调变来获得其中轴向一致的氧含量。