发明名称 用以形成含有锆及/或铪之层的系统与方法
摘要 一种在基材上形成含有锆及/或铪之层之方法(与形成彼之设备),该基材特别是半导体基材或基材组合体,该方法系使用气相沈积法与一或多种化学式为Si(OR)4之矽先质化合物以及一或多种化学式为M(NR’R”)4之锆及/或铪先质化合物,其中R、R’与R”分别为一有机基团,而M系锆或铪。
申请公布号 TW200426240 申请公布日期 2004.12.01
申请号 TW092123651 申请日期 2003.08.27
申请人 麦肯科技有限公司 发明人 布莱恩 瓦特史崔
分类号 C23C16/30 主分类号 C23C16/30
代理机构 代理人 林志刚
主权项
地址 美国