全自行排齐之分裂闸快闪EEPROM之制造方法METHOD FOR FABRICATING FULLY SELF-ALIGNED SPLIT GATE FLASH EEPROM

摘要

一种全自行排齐之分裂闸快闪EEPROM之制造方法，其中该记忆体具有源极、汲极、控制闸以及浮闸之分裂闸堆叠结构。本发明系关于一种全自行排齐之方式，将源极、汲极、控制闸以及浮闸之位置同时完成定义而精确掌控。因此，可改善制造上的精确性及重复性以提高良率，同时可简化制程步骤。