发明名称 单封装多晶片射频功率放大器
摘要 在此揭露一种多晶片功率放大器,其包含复数个晶片,每一晶片为一电晶体放大器,以及一可将所有半导体晶片安装于其中之外壳。复数个输入引线延伸至该外壳中,且复数个输出引线自该外壳延伸而出。复数个第一匹配网路将一半导体晶片连结至一输入引线,且复数个第二匹配网路将一半导体晶片连结至一输出引线,藉此使每一晶片具有其各自的输入引线及输出引线。藉由在一单一外壳中提供所有放大器晶片,且在外壳中以匹配网路将晶片连结至输入及输出引线,如此便可降低制造成本,且可以减少在一安装基板上之整体封装占据面积。此外,在外壳中之晶片的紧密相邻亦可使半导体晶片中之信号当中的相位差减小。
申请公布号 TW200427218 申请公布日期 2004.12.01
申请号 TW092134068 申请日期 2003.12.03
申请人 克瑞微波股份有限公司 发明人 雷蒙 帕格里;赛门 伍德;约翰 昆恩
分类号 H03F3/68 主分类号 H03F3/68
代理机构 代理人 林志刚
主权项
地址 美国