半导体制程中去除光阻的方法

摘要

本发明是揭露一种半导体制程中去除光阻的方法，利用等离子体形成含氢气(H2)的混合气体，进行灰化(Ashing)制程，从而去除光阻。此外，该半导体制程中去除光阻的方法，除了利用等离子体形成含氢气(H2)的混合气体，进行灰化(Ashing)制程从而去除光阻外，并能减少矽氧化膜的形成，降低耗矽量，同时可避免爆裂现象发生；其不仅能彻底清除植入了高剂量离子的深紫外线(DUV：Deep Ultra Violet)光阻的残余杂质外，还能提升灰化制程的功效。