| 摘要 |
本发明系关于于快速热处理期间控制晶圆之温度。可使用高吸收率之结构而围绕、镶嵌、和覆盖积体电路中之区域和装置，以增加区域之平均吸收率。此技术对于在积体电路之密集电容区域增加平均吸收率很有用处。此等密集电容区域于快速热处理步骤期间一般具有大面积曝露之低吸收率多晶矽。此曝露之低吸收率区域比积体电路之其他区域吸收较少能量。当如此时，积体电路区域之间之快速热处理温度变化，而导致装置大小和特性之变异。附加上吸收性结构，则增加于此等区域中能量之吸收，减少于快速热处理期间之温度变异。此减少之温度变异造成装置之均匀制造。 |
