增加电容値之沟槽型电容器制造方法

摘要

本发明提供一种增加电容值之沟槽型电容器的制造方法，包括：提供一基底，并形成一沟槽于上述基底中；一玻璃掺杂层顺应性形成于上述沟槽内之侧壁及底部，以构成一第一开口于上述沟槽中；以一具有一特定高度之填充层以气相沉积方式填入于上述第一开口，并以上述填充层作为遮罩蚀刻上述玻璃掺杂层，使上述玻璃掺杂层与上述填充层于上述沟槽内大体切齐；形成一间隔层于上述基底、上述玻璃掺杂层、上述填充层及上述沟槽侧壁之上；将上述玻璃掺杂层中之掺杂物向外扩散至上述基底中，形成一隐埋板；回蚀刻上述间隔层形成一领形第一间隔层间隙壁于沟槽侧壁上；完全移除上述填充层与上述玻璃掺杂层；蚀刻上述沟槽内之基底，以形成一瓶型沟槽；以及形成一沟槽电容器结构于上述瓶型沟槽内。