| 主权项 |
1.一种真空腔体之分气装置,藉以使气流均匀分布,该分气装置系设于该真空腔体内,其包含:一本体;一入气部,系设于该本体,藉以导入该气流;一回旋气流分气盘,系设于该本体内,藉以因应该入气部之气流,使该气流产生紊流充份混合及等速恒压的效果;以及一出气部,系设于该本体,藉以导出该充份混合的气流。2.如申请专利范围第1项所述之真空腔体之分气装置,其中该真空腔体系藉以对一半导体晶圆(Wafer)进行一半导体制程。3.如申请专利范围第2项所述之真空腔体之分气装置,其中该半导体制程包含电浆辅助化学气相沉积PECVD,Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition)、电感耦合电浆(ICP,Inductive Coupled Plasma)、化学气相沈积(CVP,Chemical Vapor Deposition)、反应离子蚀刻(RIE,Reactive IonEtching)等制程。4.如申请专利范围第1项所述之真空腔体之分气装置,其中该入气部系包含一气体导管。5.如申请专利范围第1项所述之真空腔体之分气装置,其中该回旋气流分气盘系包含复数个螺旋分流道,使该气流产生紊流充份混合及等速恒压的效果。6.如申请专利范围第1项所述之真空腔体之分气装置,其中该回旋气流分气盘侧视为一三角形。7.如申请专利范围第1项所述之真空腔体之分气装置,其中该出气部系包含复数个出气孔。8.一种真空腔体之分气装置,藉以使气流均匀分布,该分气装置系设于该真空腔体内,其特征在于,该分气装置具一回旋气流分气盘,而该回旋气流分气盘系具复数个螺旋分流道,使该气流产生紊流充份混合及等速恒压的效果。9.如申请专利范围第8项所述之真空腔体之分气装置,其中该真空腔体系藉以对一半导体晶圆(Wafer)进行一半导体制程。10.如申请专利范围第9项所述之真空腔体之分气装置,其中该半导体制程包含电浆辅助化学气相沉积PECVD,Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition)、电感耦合电浆(ICP,Inductive Coupled Plasma)、化学气相沈积(CVP,Chemical Vapor Deposition)、反应离子蚀刻(RIE,Reactive IonEtching)等制程。图式简单说明:第一图:习用之电感耦合电浆(ICP)系统示意图。第二图:习用之分气盘示意图一。第三图:习用之分气盘示意图二。第四图:本案较佳实施例之分气装置侧面示意图。第五图:本案较佳实施例之回旋气流分气盘上视示意图。 |
