发明名称 电浆处理方法
摘要 根据一电浆处理方法,供应至一处理室(1)的一处理气体系用来自该处理气体产生电浆,并藉该电浆处理布置于该处理室(1)中的一基板(8)。该基板(8)包含将由该电浆蚀刻的至少两种堆叠薄膜(21、22),且在一电浆产生阶段,将依据所欲蚀刻的任一薄膜变更该处理气体。因此,除主要电浆处理之外的任一处理所需时间均可缩短,故可缩短整个电浆处理的总时间,以改善处理速度。
申请公布号 TWI224630 申请公布日期 2004.12.01
申请号 TW090130521 申请日期 2001.12.10
申请人 夏普股份有限公司;大见忠弘 发明人 钟筑 律夫;山本 达志;平山 昌树;大见忠弘
分类号 C23F1/00 主分类号 C23F1/00
代理机构 代理人 陈长文 台北市松山区敦化北路二○一号七楼
主权项 1.一种电浆处理方法,利用供应至一处理室的一处理气体,以自该处理气体产生电浆,并藉该电浆处理布置于该处理室中的一基板,其中该基板包含将由该电浆蚀刻的至少两种堆叠膜,且在一电浆产生阶段中,依据所欲蚀刻的任一薄膜变更该处理气体。2.如申请专利范围第1项之电浆处理方法,其中于该电浆产生阶段中,对施加于该基板的一偏压电压进行改变,同时并对该处理气体进行改变。3.如申请专利范围第1项之电浆处理方法,其中于该电浆产生阶段中,对产生电浆的一条件进行改变,以稳定地维持该电浆的产生,同时且对该处理气体进行改变。4.如申请专利范围第3项之电浆处理方法,其中为稳定地维持该电浆的产生而对该产生电浆条件所进行的改变系与对该处理气体进行的改变同时,或较其更早。5.如申请专利范围第3项之电浆处理方法,其中为稳定地维持该电浆产生而设的该电浆产生条件系指该处理室中该处理气体之压力。6.如申请专利范围第3项之电浆处理方法,其中为稳定地维持该电浆产生而设的该电浆产生条件系指一电浆刺激电源之输出。图式简单说明:图1显示根据本发明之第一项具体实施例中一电浆处理方法的流程图。图2显示当蚀刻一Ti基薄膜时,提供一稳定电浆产生的一范围。图3显示各种电浆处理程序时间的比较。图4显示根据本发明之第二项具体实施例中一电浆处理方法的流程图。图5显示由处理过的薄膜侧壁所形成的一锥状角。图6显示一般电浆处理装置结构之一断面图。图7显示一传统电浆处理方法的流程图。图8显示日本专利特许公开申请案第11-111702号中所揭露的一电浆处理方法的流程图。
地址 日本