| 主权项 |
1.一种光导波管耦合器元件,包括:一基板;一高分子下部包覆层,形成于该基板上;至少两条以上的高分子光导波管,形成于该高分子下部包覆层上;一高分子上部包覆层,覆盖于该些高分子光导波管上;以及复数个方向性结合器,该些方向性结合器系由至少两条以上的高分子光导波管中之两条光导波管,以复数个位置互相接近以构成,其中,该两条光导波管之一端部为一入射端,其另一端部为输出端;连结该些方向性结合器中相邻任意的两个方向性结合器间的该两条光导波管之一实际光路长设定为L;以及该实际光路长L设定介于0.7m至0.9m之间。2.一种光导波管耦合电路元件,该元件包括:一基板;一高分子下部包覆层,形成于该基板上;至少两条以上的高分子光导波管,形成于该高分子下部包覆层上;一高分子上部包覆层,覆盖于该些高分子光导波管上;以及复数个方向性结合器,该些方向性结合器系由至少两条以上的高分子光导波管中之两条光导波管,以复数个位置互相接近以构成,其中,连结该些方向性结合器中相邻任意的两个方向性结合器间的该两条光导波管之一实际光路长设定为L,同时该实际光路长L设定介于0.7m至0.9m之间;以及该些方向性结合器各自具备该二条光导波管的平行部。3.如申请专利范围第1项或第2项所述之光导波管耦合电路元件,其中该高分子光导波管系由折射率介于1.508至1.568之间,双折射率介于0.008至0.01之间之高分子材料所构成。4.如申请专利范围第1项或第2项所述之光导波管耦合电路元件,其中该高分子下部包覆层系由折射率介于1.503至1.562之间,双折射率介于0.008至0.01之间之高分子材料所构成。5.如申请专利范围第1项或第2项所述之光导波管耦合电路元件,其中该高分子上部包覆层系由折射率介于1.503至1.562之间,双折射率介于0.008至0.01之间之高分子材料所构成。6.如申请专利范围第1项或第2项所述之光导波管耦合电路元件,其中一侧之该些方向性结合器之两条光导波管的平行部长度介于0.101mm至0.128mm之间,以及另一侧之该些方向性结合器之平行部长度介于1.454mm至1.612mm之间。7.如申请专利范围第1项或第2项所述之光导波管耦合电路元件,其中该些方向性结合器之两条该些光导波管的平行部之间隔系个别选定为介于4.3m至5.1m之间。8.如申请专利范围第1项或第2项所述之光导波管耦合器元件,其中该些光导波管之断面形状系为宽度w以及厚度t所构成之一方形。9.如申请专利范围第1项或第2项所述之光导波管耦合器元件,其中该方形系为一正方形。10.如申请专利范围第9项所述之光导波管耦合器元件,其中该正方形之一边的长度介于6m至8m之间。11.如申请专利范围第1项或第2项所述之光导波管耦合器元件,其中该高分子下部包覆层之厚度为20m。12.如申请专利范围第1项或第2项所述之光导波管耦合器元件,其中该基板系由石英板所构成。13.如申请专利范围第1项或第2项所述之光导波管耦合电路元件,其中该基板系由矽基板构成。14.如申请专利范围第1项或第2项所述之光导波管耦合电路元件,其中该基板系由聚醯亚胺树脂板构成。图式简单说明:第1图是绘示与本发明相关之高分子光导波管耦合器的平面图与侧面图。第2图是绘示高分子光导波管2x2N分波器的平面图。第3图是绘示于使用温度为20℃时,使用第1图所绘示之与本发明相关之高分子光导波管耦合电路元件,其对应于信号光的波长变化与偏光变化之能量分配率的变化示意图。第4图是绘示于使用温度为-10℃时,使用第1图所绘示之与本发明相关之高分子光导波管耦合电路元件,其对应于信号光的波长变化与偏光变化之能量分配率的变化示意图。第5图是绘示于使用温度为0℃时,使用第1图所绘示之与本发明相关之高分子光导波管耦合电路元件,其对应于信号光的波长变化与偏光变化之能量分配率的变化示意图。第6图是绘示于使用温度为10℃时,使用第1图所绘示之与本发明相关之高分子光导波管耦合电路元件,其对应于信号光的波长变化与偏光变化之能量分配率的变化示意图。第7图是绘示于使用温度为30℃时,使用第1图所绘示之与本发明相关之高分子光导波管耦合电路元件,其对应于信号光的波长变化与偏光变化之能量分配率的变化示意图。第8图是绘示于使用温度为40℃时,使用第1图所绘示之与本发明相关之高分子光导波管耦合电路元件,其对应于信号光的波长变化与偏光变化之能量分配率的变化示意图。第9图是绘示马赫曾德(Mach Zehnder)干涉计型光电路17的平面图与侧面图。 |
