| 主权项 |
1.一种嵌入式表面声波滤波器之制造方法,至少包含下列步骤:前处理过程:系于一压电基板表面上形成一具有复数个交叉指状电极结构凹槽结构之金属层;进行质子交换,藉以控制该压电基板之蚀刻深度;蚀刻该压电基板至该蚀刻深度;形成一隔离层于该压电基板上;刻图该隔离层,以去除未被该金属层覆盖部分之该隔离层;形成一指状电极层于该压电基板上;去除该隔离层;以及去除该金属层。2.如申请专利范围第1项所述之嵌入式表面声波滤波器之制造方法,其中该压电基板之材料系为铌酸锂、石英基板、钽酸锂或其他的压电基板材料所组成之群组其中之一。3.如申请专利范围第1项所述之嵌入式表面声波滤波器之制造方法,其中该金属层系由铬所构成。4.如申请专利范围第1项所述之嵌入式表面声波滤波器之制造方法,其中该指状电极层系由铝所构成。5.如申请专利范围第1项所述之嵌入式表面声波滤波器之制造方法,其中该隔离层系为一光阻层。6.如申请专利范围第5项所述之嵌入式表面声波滤波器之制造方法,其中于形成该隔离层前,更包含形成一光阻层于其上之步骤。7.如申请专利范围第1项所述之嵌入式表面声波滤波器之制造方法,其中该压电基板之材料系为铌酸锂,且该质子交换系运用苯甲酸(benzoic acid)溶液。8.如申请专利范围第1或7项所述之嵌入式表面声波滤波器之制造方法,其中控制该压电基板之蚀刻深度,系藉由控制加热温度与加热时间两变项以得到不同的质子交换深度。9.如申请专利范围第1项所述之嵌入式表面声波滤波器之制造方法,其中该前处理过程系包含下列步骤:清洗该压电基板;成长该金属层于该压电基板上;形成一第二光阻层于该金属层上;进行烘烤;进行曝光显影,以一具有复数个交叉指状电极结构之光罩进行曝光以形成一指状电极窗;去除该指状电极窗下之金属层;以及去除该第二光阻层。10.一种嵌入式表面声波滤波器,至少包含:一压电基板,具有复数个交叉指状电极结构之凹槽;以及复数个交叉指状电极,形成于该复数个凹槽中。11.如申请专利范围第10项所述之嵌入式表面声波滤波器,其中该压电基板系为一铌酸锂基板、石英基板、钽酸锂或其他材料的压电基板所组成之群组其中之一。12.如申请专利范围第10项所述之嵌入式表面声波滤波器,其中该复数个交叉指状电极系由铝所构成。图式简单说明:第1图系为习知之表面声波滤波器示意图;第2A~2B图系为本发明的嵌入式表面声波滤波器制作的前处理过程示意图;第3A~3F图系为本发明的嵌入式表面声波滤波器的制作后处理过程剖面示意图;第4图系为本发明的嵌入式表面声波滤波器制作完成后之示意图;第5图系为本发明之质子交换时间与蚀刻的深度图;第6图系为本发明之制程中铌酸锂基板被蚀刻后之表面结构SEM图;以及第7图系为本发明嵌入式表面声波滤波器的频率响应图。 |
