| 主权项 |
1.一种可供在一具有多数接垫的晶片上进行电测试的探针卡,包含:一接触探针具有多数接触导线而系藉切割一具有多数平行导线的绝缘基材所制成,其中该等接触导线的数目系相等于接垫的数目,且该各接触导线的末端会形成一触点来接触一对应的接垫。2.如申请专利范围第1项的探针卡,其中该接触探针包含:一信号层其中设有该等接触导线;一绝缘层其上设有该信号层;一接地层设在该绝缘层上,该接地层含有多数的接地导线,其各对应于一触点,并有一贯孔设在对应于一预定触点的接地导线上,而该预定触点系藉该贯孔来电连接于该接地层。3.如申请专利范围第1项的探针卡,其中该等平行导线系藉光微影法而以预定间距来制成。4.如申请专利范围第1项的探针卡,其中该等平行导线系为具有预定宽度的直线状导线。5.如申请专利范围第1项的探针卡,其中该接触探针系呈矩形。6.如申请专利范围第1项的探针卡,其中该等平行导线的数目系大于设在该晶片一侧边上的接垫数目。7.一种可供在一具有多数接垫的晶片上进行电测试的探针卡,包含:一接触探针含有:一信号层具有多数的平行接触导线,该各接触导线的末端会形成一触点来接触一对应的接垫;一第一绝缘层设在该信号层上;一接地层设在该第一绝缘层上;及一接触导线具有一第一接线可将一预定的触点连接于该接地层。8.如申请专利范围第7项的探针卡,其中该接触探针包含一第二绝缘层设在该接地层上,一供电层设在该绝缘层上,及一第二接线可将该供电层连接于一第二预定触点。9.如申请专利范围第7项的探针卡,其中该等平行接触导线系藉光微影法而以预定间距来制成。10.如申请专利范围第7项的探针卡,其中该等平行接触导线系为具有预定宽度的直线状导线。11.如申请专利范围第7项的探针卡,其中该接触探针系呈矩形。12.一种可供在一具有多数接垫的晶片上进行电测试的探针卡,包含:一接触探针含有:一信号层具有多数的平行接触导线,该各接触导线的末端会形成一触点来接触一对应的接垫;一绝缘层设在该信号层上;一接地层设在该绝缘层上;及多数的接地导线可将该接地层连接于该等触点,其中有一连接于一预定触点之一预定的接地导线会被切断。13.如申请专利范围第12项的探针卡,其中该等平行接触导线系藉光微影法而以预定间距来制成。14.如申请专利范围第12项的探针卡,其中该等平行接触导线系为具有预定宽度的直线状导线。15.如申请专利范围第12项的探针卡,其中该接触探针系呈矩形。16.一种用来制造接触探针的基材,包含:许多具有预定间距的平行导线,且该基材会被依据该接触探针导线的数目来切割。17.如申请专利范围第16项的基材,其中该等平行导线系为具有预定宽度的直线状导线。18.一种制造一探针卡之接触探针的方法,该探针卡系可用来在一具有多数接垫的晶片上进行电测试;而该方法包含以下步骤:制备一具有多数平行导线的绝缘基材;及切割该绝缘基材而使该接触探针所具之接触导线的数目等于该等接垫的数目。19.如申请专利范围第18项之方法,其中该等平行导线的数目系大于设在该晶片一侧边之接垫的数目。20.如申请专利范围第18项之方法,其中制备该绝缘基材的步骤包括以光微影法来制成该等具有预定间距的平行导线。21.如申请专利范围第18项之方法,其中该基材包含一信号层具有多数导线及一绝缘层设在该信号层上;而该方法更包含以下步骤:将一预定接触导线的末端电连接于该接地层。22.如申请专利范围第21项之方法,其中该电连接步骤包括将该预定接触导线的末端以一接线连接于该接地层。23.如申请专利范围第21项之方法,其中该电连接步骤包括在一靠近该预定接触导线之末端的位置处制成一贯孔延伸贯穿该绝缘层与接地层,并在该贯孔内充填导电材料来连接该接地层与信号层。图式简单说明:第1图为一习知探针之导线说明图;第2图为一习知薄膜基材的说明图;第3图为本发明第一实施例之探针卡的示意图;第4图为第3图之探针卡的截面图;第5A图为一接触探针的平面图;第5B图为第5A图之接触探针的截面图;第6图为一通用基材的说明图;第7A图为本发明第二实施例之接触探针的平面图;第7B图为第7A图之接触探针的截面图;第8A图为本发明第三实施例之接触探针的平面图;第8B图为第8A图之接触探针的截面图; |
