| 主权项 |
1.一种半导体装置之制造方法,包括了将一绝缘材料埋入于形成在半导体基底之一沟槽以形成了元件绝缘区域,藉由该元件绝缘区域于各半导体区域之中形成了一所需元件,该等半导体区域之间系由该元件绝缘区域所绝缘与隔离,该半导体装置之制造方法包括了:一沟槽成型步骤,用以依序将氧化膜、氮化膜堆积形成于该半导体基底之上,该氧化膜、该氮化膜在经由选择性蚀刻下而呈现于该元件绝缘区域所预定形成之一区域之上,随后在藉由该氮化膜做为一光罩对于该半导体基底进行选择性蚀刻之下而可形成了该沟槽;半导体基底氧化步骤,用以对于该半导体基底进行氧化,其方式系仅于该沟槽之表面上形成了氧化膜,但几乎不于该氮化膜之表面上形成了氧化膜;一氮化膜回蚀刻步骤,用以在该氮化膜上进行回蚀刻处理,其于该氮化膜之上所形成之开口的宽度系大于该沟槽上之开口的宽度;一自由基氧化步骤,藉由自由基氧化方法以进行去角氧化,如此便可对于该沟槽之表面的边缘进行去角氧化处理;以及一绝缘材料埋入步骤,用以将该绝缘材料埋入于该沟槽之上中。2.一种半导体装置之制造方法,包括了将一氧化物埋入于形成在一矽基底之一沟槽以形成了元件绝缘区域,藉由该元件绝缘区域于各半导体区域之中形成了一所需元件,该等半导体区域之间系由该元件绝缘区域所绝缘与隔离,该半导体装置之制造方法包括了:一沟槽成型步骤,用以依序将氧化矽膜及氮化矽膜堆积形成于该矽基底之上,该氧化矽膜、该氮化矽膜在经由选择性蚀刻下而呈现于该元件绝缘区域所预定形成之一区域之上,随后在藉由该氮化矽膜做为一光罩对于该矽基底进行选择性蚀刻之下而可形成了该沟槽;一矽基底氧化步骤,用以对于该矽基底进行氧化,其方式系仅于该沟槽之表面上形成了氧化矽膜,但几乎不于该氮化矽膜之表面上形成了氧化矽膜;一氮化矽膜回蚀刻步骤,用以在该氮化矽膜上进行回蚀刻处理,其于该氮化矽膜之上所形成之开口的宽度系大于该沟槽上之开口的宽度;一自由基氧化步骤,藉由自由基氧化方法以进行去角氧化,如此便可对于该沟槽之表面的边缘进行去角氧化处理;以及一氧化物埋入步骤,用以将该氧化物埋入于该沟槽之上中。3.如申请专利范围第2项所述之半导体装置之制造方法,其中,该矽基底氧化步骤系藉由温度为600-750℃之乾氧化而形成该氧化矽膜。4.如申请专利范围第3项所述之半导体装置之制造方法,其中,该氧化矽膜所形成之薄膜厚度为1-4mm。5.如申请专利范围第3项所述之半导体装置之制造方法,其中,该乾氧化方法系于包含了氧气之氧化环境中进行处理。6.如申请专利范围第5项所述之半导体装置之制造方法,其中,该乾氧化系于该氧化环境中进行处理,该氧化环境中之该氧气系由钝气所稀释。7.如申请专利范围第2项所述之半导体装置之制造方法,其中,该氮化膜回蚀刻步骤系采用了热磷酸来进行。图式简单说明:第1A-1C图系依序表示根据本发明之第一实施例中之半导体装置之制造方法的程序图;第1D-1F图系依序表示本发明之半导体装置之制造方法的接续程序图;第1G-1I图系依序表示本发明之半导体装置之制造方法的后续程序图;第2图系表示根据本发明之第一实施例中所制作出之半导体装置之小部分(minute part)的剖面图;第3图系表示根据本发明中之氮化矽膜(siliconnitride film)之蚀刻时间(etching time)(水平轴(horizontalaxis))与其蚀刻量(etching amount)(垂直轴(vertical axis))之间的关系图,藉此以解释本发明之原理;第4A-4C图系依序表示根据习知半导体装置(第一习知技术(first conventional technology))之制造方法的程序图;第4D-4G图系依序表示半导体装置(第一习知技术)之制造方法的接续程序图;第5A-5D图系依序表示根据另一习知半导体装置(第二习知技术(second conventional technology))之制造方法的程序图;第5E-5H图系依序表示半导体装置(第二习知技术)之制造方法的接续程序图;第6A-6C图系依序表示根据又一习知半导体装置(第三习知技术(third conventional technology))之制造方法的程序图;第6D-6F图系依序表示半导体装置(第三习知技术)之制造方法的接续程序图;第7图系表示根据习知半导体装置之制造方法所具有缺点之说明图式资料;第8图系表示根据习知半导体装置之制造方法所具有缺点之说明图式资料;以及第9A-9B图系表示根据习知半导体装置之制造方法所具有缺点之说明图式资料。 |
