发明名称 电容式半导体压力感测器
摘要 本发明系提供一种电容式半导体压力感测器(capacitive semiconductor pressure sensor)。该压力感测器主要包含有一由金属固定电极与一可动的复晶矽隔膜(diaphragm)所构成的平板电容(plate capacitor)设置于一非单晶矽基底上,以及一薄膜电晶体(TFT)控制电路电连接于该平板电容,用来控制该压力感测器的操作。
申请公布号 TW200426354 申请公布日期 2004.12.01
申请号 TW092114483 申请日期 2003.05.28
申请人 友达光电股份有限公司 发明人 杨健生
分类号 G01L9/12;G01L9/06;H01L27/20 主分类号 G01L9/12
代理机构 代理人 许锺迪
主权项
地址 新竹市新竹科学工业园区力行二路一号