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发明名称
具金属内连线与金属电阻之半导体装置以及此装置的制造方法
摘要
一种具金属内连线与金属电阻之半导体元件,该元件的形成方法系在绝缘层中形成铜质金属内连线,接着,在绝缘层上形成一用以覆盖、保护金属内连线的覆盖层,然后,在覆盖层中形成一开口,以选择性曝露出金属内连线的上表面,之后,在覆盖层上形成一金属电阻,此金属电阻透过开口和金属内连线表面接触。然后,再于绝缘层中形成一电性接触窗。另一种方法则可以在电性接触窗形成之后再于绝缘层上形成金属电阻。
申请公布号
TW200427058
申请公布日期
2004.12.01
申请号
TW093112609
申请日期
2004.05.05
申请人
三星电子股份有限公司
发明人
郑武京;李京泰;安正勋
分类号
H01L27/04;H01L21/822
主分类号
H01L27/04
代理机构
代理人
詹铭文;萧锡清
主权项
地址
韩国
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