| 摘要 |
在P型矽基板3的正面形成M个N井区，且在两个相邻之N井区之间形成多个P井区pW。此外，每一个N井区nW之中皆形成有N型的扩散区nD与P型的扩散区pD1。再者，P井区pW之中系具有P型扩散区pD2。第j个N井区nW之中的N型扩散区nD系连接至第(j＋1)个N井区10之中的P型扩散区pD1。第一个N井区nW之中的P型扩散区pD1系连接至第一端子1。第M个N井区nW之中的N型扩散区nD系连接至第二端子2。为了回应受保护之端子(未图示)与放电端子(未图示)在正常操作期间时的电位关系，故使第一端子连接至处于高电位的其中一个端子，并使第二端子2连接至处于低电位的另外一个端子。 |
