发明名称 半导体装置之制造方法
摘要 本发明的半导体装置之制造方法,系包含有:将具有贯穿孔的补强板,透过黏接层,黏接于已形成半导体装置的半导体晶圆表面上的步骤;对上述半导体晶圆背面施行研磨的步骤;以及将溶融着黏接层的溶剂,注入于上述贯穿孔中,使此溶剂渗透于黏接层中,俾将补强板从半导体晶圆上剥离的步骤。所以,在采用补强材且研磨半导体晶圆之后,不致使半导体晶圆发生翘曲或龟裂等缺陷,可在短时间内将上述补强材从半导体晶圆上剥离。
申请公布号 TW200426907 申请公布日期 2004.12.01
申请号 TW093105391 申请日期 2004.03.02
申请人 夏普股份有限公司 发明人 栗本秀行;土津田义久;木村敏夫
分类号 H01L21/02;C09J5/00;C09J191/06 主分类号 H01L21/02
代理机构 代理人 林志刚
主权项
地址 日本