发明名称 制造半导体装置之方法及半导体装置
摘要 一种制造一半导体装置之方法,包括步骤:在一包含一光电转换部分之半导体基板上形成一透明膜,该透明膜具有一位于该光电转换部分上方之凹部;在该透明膜上形成一材料膜,该材料膜由一具有比该透明膜高之折射率之感光材料制成;及用射线选择性地照射该材料膜之一预定部,然后对该材料膜进行显影,藉此形成一具有一面向该凹部之凸部之内层透镜。
申请公布号 TW200427074 申请公布日期 2004.12.01
申请号 TW093100796 申请日期 2004.01.13
申请人 夏普股份有限公司 发明人 仲井淳一;青木彻朗
分类号 H01L27/14;G02B3/00;G03F7/00 主分类号 H01L27/14
代理机构 代理人 陈长文
主权项
地址 日本