发明名称 自表面移除粒子之清除方法,清除装置及微影投影装置
摘要 本发明揭示一种微影光罩,其放置于一小室中,然后以气密方式密封该小室,该小室中之气体压力快速地从大气压力降至10-2微巴,以强行去除该光罩表面上之污染微粒。
申请公布号 TWI224527 申请公布日期 2004.12.01
申请号 TW092125035 申请日期 2003.09.10
申请人 ASML公司 发明人 海伦思, 哲-詹
分类号 B08B5/00;G03F7/20 主分类号 B08B5/00
代理机构 代理人 陈长文 台北市松山区敦化北路二○一号七楼
主权项 1.一种藉由从该物品表面移除粒子以清除物件表 面之方法,该方法包括以下步骤: -提供可利用气密方式密封之小室; -将该物件置于该小室中,露出该物件之待清除表 面; -密封该小室;及 -将该小室中之气体压力减至一低压力, 其特征为在少于5秒之内快速将该气体压力减至10- 2微巴。 2.如申请专利范围第1项之方法,其中该物件系一微 影光罩。 3.如申请专利范围第1或2项之方法,尚包括快速增 加气压之后续步骤。 4.如申请专利范围第3项之方法,其中在大气压力减 少之前,迅速将气体压力加至该原始气体压力。 5.如申请专利范围第3项之方法,其中该气体压力在 一低压力与一较高压力间重复地循环。 6.如申请专利范围第1或2项之方法,其中在快速减 少该气体压力之前增加该气体压力。 7.如申请专利范围第1或2项之方法,尚包括提供一 电场,用以从该待清除表面吸引并移除该粒子之步 骤。 8.如申请专利范围第7项之方法,其中将该待清除物 件之表面充电,以帮助粒子移除。 9.如申请专利范围第1或2项之方法,其中振动该物 件。 10.如申请专利范围第1或2项之方法,其中改变该物 件之温度。 11.如申请专利范围第1或2项之方法,其中粒子轰击 该待清除物件之表面。 12.如申请专利范围第11项之方法,其中轰击粒子系 浓缩二氧化碳CO2。 13.如申请专利范围第1或2项之方法,尚包括将一层 液体施至该待清除物件之表面。 14.如申请专利范围第13项之方法,其中该层横过该 待清除物件之整个表面皆一致。 15.一种用以从物件表面移除粒子之装置,包括: 一小室,其具有一门并能以气密方式密封; 用以减少该密闭小室之气体压力之构件;及 以下各项之至少一项: 用以提供一电场用以吸引并从该表面移除粒子之 构件; 用以振动该待清除物件之构件; 用以使用粒子轰击该待清除物件表面之构件;及 用以将一层液体施至该待清除物件表面之构件。 16.一种微影投射装置,包括: -一辐射系统,用以提供辐射之投射束; -一支撑结构,用以支撑定图案构件,该定图案构件 用以根据一期望图案将投射束定图案; -一基板桌,用以支持一基板;及 -一投射系统,用以将定图案射束投射至该基板之 目标部分, 其特征为其尚包括一用以从该物品表面移除粒子 之元件,该元件包括: 一小室,其具有一门并能以气密方式密封;及 用以在少于5秒之内将该密闭小室之气体压力减至 10-2微巴之构件。 图式简单说明: 图1根据本发明第一实施例说明一清除装置; 图2说明强行去除微粒的方法; 图3根据本发明第二实施例说明具有静电吸引构件 的清除装置; 图4根据本发明第三实施例说明具有振动物件桌的 清除装置; 图5根据本发明第四实施例说明一清除装置,其中 由浓缩CO2轰击该光罩; 图6以剖面图说明具一层溶剂的光罩;及 图7根据本发明一实施例说明一微影投影装置。
地址 荷兰