| 发明名称 | 物理气相淀积元件及形成方法 | ||
| 摘要 | 一种物理汽相淀积元件形成方法，包括在元件中引起足够量的应力，以与引起应力之前所述元件表现出的通量相比，增大磁通量。该方法可还包括在引起应力之前以(200)确定元件的主要晶体结构取向，其中，引起的应力自身不足以大大改变表面晶粒外观。取向结构可以包括将元件毛坯第一冷加工成截面积减小至少约80％。冷加工后的元件毛坯可以至少在元件毛坯的最低重结晶温度下热处理。引起应力可以包括第二冷加工，将截面积减小约热处理后元件的5％到15％。第一和第二冷加工中的至少一种可以是单向的。 | ||
| 申请公布号 | CN1551927A | 申请公布日期 | 2004.12.01 |
| 申请号 | CN01818145.7 | 申请日期 | 2001.10.26 |
| 申请人 | 霍尼韦尔国际公司 | 发明人 | M·S·库珀 |
| 分类号 | C23C14/34;C22F1/10 | 主分类号 | C23C14/34 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 肖春京;章社杲 |
| 主权项 | 1.一种物理气相淀积(PVD)元件形成方法，包括在元件中引起足够量的应力，以与引起应力之前所述元件表现的磁通量相比增大磁通量。 | ||
| 地址 | 美国新泽西州 | ||