发明名称 | 具有脉冲串读出操作模式的闪速存储器装置 | ||
摘要 | 公开一种闪速存储器装置,其中包括多个列,每个列都同多个存储器单元相连。列选择器电路根据列地址选择一部分列,并且多个读出放大器组同由列选择器电路选中的列相连。该列选择器电路根据是否是按4N排列该列地址,以可变方式选择列,其中N的值为等于或大于1的整数。例如,当列地址按4N排列时,列选择器电路选择该列地址的列,而当列地址不按4N排列时,列选择器电路选择高位列地址的列。 | ||
申请公布号 | CN1551226A | 申请公布日期 | 2004.12.01 |
申请号 | CN200410047758.7 | 申请日期 | 2004.04.05 |
申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 李升根;朴镇城 |
分类号 | G11C8/00 | 主分类号 | G11C8/00 |
代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 王志森;黄小临 |
主权项 | 1.一种非易失性半导体存储器装置,包括:多个列,每个列都同多个存储器单元相连;一个列选择电路,用以根据列地址选择多个列中的一部分;以及多个读出放大器组,同由列选择电路选出的列相连,其中列选择电路被设置成能够选择列,该列是通过该列地址是否是按4N排列(N为等于或大于1的正整数)确定的。 | ||
地址 | 韩国京畿道 |