| 主权项 |
1.一种制造发光装置之方法,包含以下步骤:在一绝缘体上形成一阳极;在该阳极上形成一EL层;使该EL层受到电浆处理;及在受到电浆处理的EL层上形成一阴极。2.根据申请专利范围第1项之方法,其中藉由将气体离子化以产生电浆而进行电浆处理,该气体含有用于降低EL层的LUMO能阶之元素。3.根据申请专利范围第1项之方法,其中藉由将气体离子化以产生电浆而进行电浆处理,该气体含有用于增加EL层的HOMO能阶之元素。4.根据申请专利范围第1项之方法,其中藉由将气体离子化以产生电浆而进行电浆处理,该气体含有属于周期表上第一族或第二族之元素。5.一种制造发光装置之方法,包含以下步骤:在一绝缘体上形成一阳极;在该阳极上形成一EL层;及在EL层上形成一阴极,其中该EL层是经由一处理而形成的,此处理包括在阳极上形成第一EL膜、使该第一EL膜受到电浆处理,及在受到电浆处理的第一EL膜上形成一第二EL膜。6.根据申请专利范围第5项之方法,其中藉由将气体离子化以产生电浆而进行电浆处理,该气体含有用于降低EL层的LUMO能阶之元素。7.根据申请专利范围第5项之方法,其中藉由将气体离子化以产生电浆而进行电浆处理,该气体含有用于增加EL层的HOMO能阶之元素。8.根据申请专利范围第5项之方法,其中藉由将气体离子化以产生电浆而进行电浆处理,该气体含有属于周期表上第一族或第二族之元素。9.一种制造发光装置之方法,包含以下步骤:在一绝缘体上形成一阴极;在该阴极上形成一EL层;使该EL层受到电浆处理;及在受到电浆处理的EL层上形成一阳极。10.根据申请专利范围第9项之方法,其中藉由将气体离子化以产生电浆而进行电浆处理,该气体含有用于降低EL层的LUMO能阶之元素。11.根据申请专利范围第9项之方法,其中藉由将气体离子化以产生电浆而进行电浆处理,该气体含有用于增加EL层的HOMO能阶之元素。12.根据申请专利范围第9项之方法,其中藉由将气体离子化以产生电浆而进行电浆处理,该气体含有属于周期表上第一族或第二族之元素。13.根据申请专利范围第1项之方法,其中绝缘体是被形成以覆盖一薄膜电晶体。14.根据申请专利范围第1项之方法,其中EL层包括一有机膜会经由三重态激发而发光。15.根据申请专利范围第5项之方法,其中绝缘体被形成以覆盖一薄膜电晶体。16.根据申请专利范围第5项之方法,其中EL层包括一有机膜会经由三重态激发而发光。17.一种制造发光装置之方法,包含以下步骤:在一绝缘体上形成一阴极;在该阴极上形成一EL层;及在EL层上形成一阳极,其中该EL层是经由一处理而形成的,此处理包括在阴极上形成第一EL膜、使该第一EL膜受到电浆处理,及在受到电浆处理的第一EL膜上形成一第二EL膜。18.根据申请专利范围第17项之方法,其中藉由将气体离子化以产生电浆而进行电浆处理,该气体含有用于降低EL层的LUMO能阶之元素。19.根据申请专利范围第17项之方法,其中藉由将气体离子化以产生电浆而进行电浆处理,该气体含有用于增加EL层的HOMO能阶之元素。20.根据申请专利范围第17项之方法,其中藉由将气体离子化以产生电浆而进行电浆处理,该气体含有属于周期表上第一族或第二族之元素。21.根据申请专利范围第17项之方法,其中绝缘体是被形成以覆盖一薄膜电晶体。22.根据申请专利范围第17项之方法,其中EL层包括一有机膜会经由三重态激发而发光。图式简单说明:图1A到1C是图形,显示制造EL层的程序,且图1D是一图形,显示以SIMS所产生的浓度轮廓;图2A到2C是图形,显示制造EL层的另一个程序;图3A及3B是图形,显示EL元件的带结构;图4A到4D是图形,显示制造发光装置的程序;图5A到5D是图形,显示制造发光装置的另一个程序;图6A到6C是图形,显示制造发光装置的另一个程序;图7A到7C是图形,显示制造发光装置的另一个程序;图8是一图形,显示膜形成装置的结构;图9A到9F是图形,显示电子机器的范例;及图10A及10B是图形,显示电子机器的范例。 |
