| 主权项 |
1.一种提供均匀沉积之水平式炉管,该炉管包含有:一壳体;一进气平板,连接于该壳体并沿轴向设置于该壳体内上方,且该进气平板上分布有复数个进气孔洞,该进气平板与壳体形成一进气区域;以及一抽气平板,连接于该壳体并沿轴向设置于该壳体内下方,且该抽气平板上分布有复数个抽气孔洞,该抽气平板与壳体形成一抽气区域。2.如申请专利范围第1项之炉管,其中该炉管系用来进行一硼磷矽玻璃之沉积制程,且防止硼磷矽玻璃之不当结晶。3.如申请专利范围第1项之炉管,其中该炉管另包含有一进气口连接于该壳体之进气区域,以及一抽气口连接于该壳体之抽气区域。4.如申请专利范围第3项之炉管,其中该进气口与该抽气口系连接于该壳体之同一端,且该进气孔洞与该抽气孔洞系由该端向另一端渐密的方式设置。5.一种提供均匀沉积之水平式炉管,该炉管包含有:一壳体;以及一第一平板以及一第二平板,分别沿该壳体之轴向设置并连接于该壳体内相对称之位置,且该第一平板上以及该第二平板上各分布有复数个孔洞。6.如申请专利范围第5项之炉管,其中该炉管系用来进行一硼磷矽玻璃之沉积制程,且防止硼磷矽玻璃之不当结晶。7.如申请专利范围第5项之炉管,其中该第一平板以及该第二平板上之孔洞皆作为进气之用,且该炉管另包含有一抽气口连接于该壳体一端之轴心位置。8.如申请专利范围第7项之炉管,其中该炉管另包含有两进气口,且该进气口与该抽气口系设于该壳体之同一端,该第一平板以及该第二平板上之孔洞系由该端向另一端渐密的方式设置。9.如申请专利范围第5项之炉管,其中该第一平板上以及该第二平板上之孔洞分别用来作为进气与抽气之用。10.如申请专利范围第9项之炉管,其中该炉管另包含有一进气口与一抽气口,且该进气口与该抽气口系设于该壳体之同一端,该第一平板以及该第二平板上之孔洞系由该端向另一端渐密的方式设置。图式简单说明:图一为习知回流BPSG炉管之正面示意图。图二为图一之回流BPSG炉管沿线I-I之剖面示意图。图三为本发明回流BPSG炉管之正面示意图。图四为图三之回流BPSG炉管沿线II-II之剖面示意图。图五为本发明第二实施例之回流BPSG炉管之正面示意图。图六为图五之回流BPSG炉管沿线III-III之剖面示意图。 |
