| 发明名称 | 电子器件的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了制造电子器件的方法，包括：在基础部件的表面上形成凹进部分，在基础部件的在其上形成镀膜的表面上形成导电种子层，以及在这样的条件下把所述种子层作为公共电极进行电解电镀处理以形成镀膜：在基础部件的所述凹进部分中存在的加速电解电镀的物质的量大于在基础部件的表面上的量。 | ||
| 申请公布号 | CN1551295A | 申请公布日期 | 2004.12.01 |
| 申请号 | CN200410038320.2 | 申请日期 | 2004.05.14 |
| 申请人 | 株式会社东芝 | 发明人 | 松田哲朗;金子尚史 |
| 分类号 | H01L21/00;C25D5/02;H01L21/304;H01L21/321;H01L21/768 | 主分类号 | H01L21/00 |
| 代理机构 | 北京市中咨律师事务所 | 代理人 | 杨晓光;李峥 |
| 主权项 | 1.一种电子器件的制造方法，包括：在基础部件的表面上形成凹进部分；在基础部件的在其上形成镀膜的表面上形成导电种子层；以及在这样的条件下把所述种子层作为公共电极进行电解电镀处理以形成镀膜：使在基础部件的所述凹进部分中存在的加速电解电镀的物质的量大于在基础部件的表面上的量。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||