| 发明名称 | 三维立体掩膜 | ||
| 摘要 | 一种三维立体掩膜，通过增加掩膜上边界图案周缘的不透光层的厚度，增加入射光通过边界图案的路径长度，改善通过边界图案的入射光的光相干性，借此降低因为光干涉所造成的光学邻近效应，减少曝出的边界图案发生变形或是聚焦深度不足的问题，使三维立体掩膜能够曝出良好的图形。 | ||
| 申请公布号 | CN1178275C | 申请公布日期 | 2004.12.01 |
| 申请号 | CN01123723.6 | 申请日期 | 2001.07.26 |
| 申请人 | 旺宏电子股份有限公司 | 发明人 | 洪齐元 |
| 分类号 | H01L21/027;G03F7/00 | 主分类号 | H01L21/027 |
| 代理机构 | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人 | 赵蓉民 |
| 主权项 | 1.一种三维立体掩膜，包括：一基底透光层；以及一不透光层，位于该基底透光层上，该不透光层中具有一开口图案，在该开口图案边缘的该不透光层厚度大于在该开口图案中央的该不透光层厚度。 | ||
| 地址 | 中国台湾 | ||