硅带生长枝晶厚度的控制系统

摘要

提供在枝晶状硅网生长工艺中控制一对枝晶的厚度，用来提高枝晶状硅网的生产率的方法和系统。用一对瞄准枝晶对的摄像机形成从炉中硅熔体中出现的网中的每个枝晶的图像。将枝晶图像数字化，计算枝晶的平均厚度，并与设定点参数比较。枝晶厚度间的平均差和设定点参数用来控制整个炉温，而每一对的厚度差用来控制炉中的侧边温度分布，以使枝晶厚度在预定范围内。该方法可用在自动控制炉温和侧边温度分布的闭环模式中，也可用在向手动调节炉温条件的操作人员提供可视的反馈信息的开环模式中。

主权项

1.一种控制炉中硅熔体温度的方法，该硅熔体用来制造在相对置的网边缘具有一对枝晶的枝晶状硅网，该方法包括下列步骤：(a)产生从枝晶状硅网生长炉中的硅熔体中出现的每个枝晶的图像；(b)计算每个枝晶的厚度；以及(c)使用算出的厚度调节炉温度，把枝晶的厚度保持在维持连续生长的范围内。