| 发明名称 | 有机硅氧烷膜的处理方法及装置 | ||
| 摘要 | 处理有机硅氧烷膜的方法，包含将配设了聚硅氧烷系药液的涂布膜的基板(W)搬入反应容器(1)内的工序。药液含有从甲基、苯基及乙烯基中选取的官能团和硅原子的结合。此外，本方法含有在反应容器(1)内对基板(W)进行热处理而烧结涂布膜的工序。热处理在含有混合了氨和水的催化剂气体的处理气氛内、300～400℃的处理温度下进行。 | ||
| 申请公布号 | CN1552094A | 申请公布日期 | 2004.12.01 |
| 申请号 | CN02817271.X | 申请日期 | 2002.08.29 |
| 申请人 | 东京毅力科创株式会社;JSR株式会社 | 发明人 | 菱屋晋吾;佐野哲哉;关口学;三田伦广 |
| 分类号 | H01L21/316 | 主分类号 | H01L21/316 |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人 | 陈建全 |
| 主权项 | 1、处理有机硅氧烷膜的方法，其包括：将配设了聚硅氧烷系药液的涂布膜的基板搬入反应容器内的工序、和在所述反应容器内对所述基板进行热处理从而烧结所述涂布膜的工序，其中，所述药液含有从甲基、苯基及乙烯基中选取的官能团和硅原子的结合，所述热处理在含有混合了氨和水的催化剂气体的处理气氛内、300～400℃的处理温度下进行。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||