MRAM及其制造方法

摘要

提供一种MRAM及其制造方法。MRAM包括半导体基板、形成在半导体基板上的晶体管、在半导体基板上形成以便覆盖晶体管的层间介电层、和在层间介电层中形成与晶体管的漏区并联连接的第一MTJ单元和第二MTJ单元。第一MTJ单元连接到在层间介电层中形成的第一位线，第二MTJ单元连接到在层间介电层中形成的第二位线。在第一MTJ单元和晶体管栅电极间形成数据线以便垂直于第一位线和第二位线。本发明的MRAM不但具有与单一单元结构的MRAM同样高的集成密度，而且能够具有充分的感应裕度，高速的操作，和减小的噪音。

主权项

1.一种MRAM包括：半导体基板；形成在半导体基板上的一晶体管；形成在半导体基板上以便覆盖晶体管的一层间介电层；和在层间介电层中形成与晶体管的漏区并联连接的一第一MTJ单元和一第二MTJ单元，其中第一MTJ单元连接到在层间介电层中形成的第一位线，第二MTJ单元连接到在层间介电层中形成的第二位线，以及其中数据线形成在第一MTJ单元和晶体管栅电极之间，使之垂直于第一位线和第二位线。