发明名称 接合面的形成方法
摘要 一种使至少两个烧结体连接形成复合结构的方法,所述方法包括:提供具有钙钛矿或荧石晶体结构的第一多组分金属氧化物;提供第二烧结体,其包含具有与第一晶体结构相同的第二多组分金属氧化物;和在界面处提供包含至少一种金属氧化物的连接材料,所述金属氧化物至少包含一种同样包含在第一和第二多组分金属氧化物之一中的金属。所述连接材料不含Si、Ge、Sn、Pb、P和Te的阳离子,并且其熔点低于两烧结体的烧结温度。将连接材料加热至金属氧化物熔点之上和烧结体烧结温度以下的温度,从而形成接合面。另外,还披露了包含所述接合面的结构。
申请公布号 CN1550478A 申请公布日期 2004.12.01
申请号 CN200410030125.5 申请日期 2004.03.19
申请人 气体产品与化学公司 发明人 D·P·布特;R·A·库特勒;S·W·赖恩德斯;M·F·卡罗兰
分类号 C04B37/00 主分类号 C04B37/00
代理机构 中国专利代理(香港)有限公司 代理人 刘继富;段晓玲
主权项 1.一种使至少两个烧结体连接形成复合结构的方法,所述方法包括:提供第一烧结体,其包含具有第一晶体结构的第一多组分金属氧化物,所述第一晶体结构选自钙钛矿结构和萤石型结构;提供第二烧结体,其包含具有与第一晶体结构相同的第二晶体结构的第二多组分金属氧化物;在第一烧结体和第二烧结体之间的界面处施加包含至少一种金属氧化物的连接材料,其中(i)至少一种金属氧化物包含至少一种包含在第一多组分金属氧化物和第二多组分金属氧化物至少之一中的共用金属;(ii)连接材料不含硼、硅、锗、锡、铅、砷、锑、磷和碲;和(iii)所述的至少一种金属氧化物的熔点低于第一多组分金属氧化物的第一烧结温度和低于第二多组分金属氧化物的第二烧结温度;将第一烧结体、第二烧结体和连接材料加热至熔点之上以及第一烧结温度和第二烧结温度以下的连接温度,加热时间足以在第一烧结体和第二烧结体之间形成接合面并由此形成复合结构。
地址 美国宾夕法尼亚州