| 发明名称 | 半导体存储装置、半导体装置和便携电子设备 | ||
| 摘要 | 一种半导体存储装置包括非易失性存储器部分和易失性存储器部分，其中非易失性存储器部分包括非易失性存储元件，该非易失性存储元件具有：通过栅绝缘膜在半导体层上形成的栅电极，在栅电极下放置的沟道区，在沟道区的两侧上形成并具有与沟道区相反的传导类型的扩散区，以及在栅电极的两侧上形成并具有用于保持电荷的功能的存储功能单元。 | ||
| 申请公布号 | CN1551362A | 申请公布日期 | 2004.12.01 |
| 申请号 | CN200410043220.9 | 申请日期 | 2004.05.14 |
| 申请人 | 夏普株式会社 | 发明人 | 柴田晃秀;岩田浩 |
| 分类号 | H01L27/115;H01L27/105;H01L27/11;H01L27/108 | 主分类号 | H01L27/115 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 王岳;叶恺东 |
| 主权项 | 1.一种半导体存储装置，包括：非易失性存储器部分；以及易失性存储器部分，其中非易失性存储器部分包括非易失性存储元件，该非易失性存储元件具有：通过栅绝缘膜在半导体层上形成的栅电极，在栅电极下放置的沟道区，在所述沟道区的两侧上形成并具有与沟道区相反的传导类型的扩散区，以及在栅电极的两侧上形成并具有用于保持电荷的功能的存储功能单元。 | ||
| 地址 | 日本大阪市 | ||