| 发明名称 | 有最小限度写读结构间隔的并排式薄膜磁头的方法和设备 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种有最小限度写读结构间隔的并排式薄膜磁头的方法和设备。在本发明的并排式感应磁头结构中，用于平行或者纵向记录的磁头结构的读写部件之间的间隔被大大减小。 | ||
| 申请公布号 | CN1551118A | 申请公布日期 | 2004.12.01 |
| 申请号 | CN200410038604.1 | 申请日期 | 2004.04.27 |
| 申请人 | 日立环球储存科技荷兰有限公司 | 发明人 | 雨果·A·E·桑蒂尼 |
| 分类号 | G11B5/58 | 主分类号 | G11B5/58 |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 李德山 |
| 主权项 | 1.一种形成并排式感应磁头结构的方法，包括：形成一个读磁头，该读磁头具有贴近一个空气支承面设置的读部件；形成一个写线圈，该线圈具有与所述读磁头相邻的第一侧和一个中心轴线，该中心轴线垂直于所述空气支承面；形成一个与所述写线圈耦合的极尖，该极尖离开所述中心轴线向所述读部件偏移，从而使读写磁头之间形成紧密靠近的排列。 | ||
| 地址 | 荷兰阿姆斯特丹 | ||