发明名称 |
半导体装置、微传动机构、微阀和微继电器及其制法 |
摘要 |
一种半导体装置是由半导体基板(3)、可挠区域(2)、连接半导体基板(3)和可挠区域(2)的热绝缘区域(7)构成。所述热绝缘区域由热绝缘材料聚酰亚胺或氟系树脂构成。所述可挠区域连设的可动元件(5),由具有不同热膨胀系数的薄壁部(2S)和薄膜部(2M)构成。在所述可挠区域(2)设置加热部件,例如扩散电阻(6),当加热部件进行加热使所述可挠区域的温度变化时,所述可动元件(5)相对于所述半导体基板(3)变位。 |
申请公布号 |
CN1178272C |
申请公布日期 |
2004.12.01 |
申请号 |
CN00102737.9 |
申请日期 |
2000.02.23 |
申请人 |
松下电工株式会社 |
发明人 |
友成惠昭;吉田仁;镰仓将有;河田裕志;斋藤公昭;信时和弘;荻原淳;长尾修一 |
分类号 |
H01L21/00;H01L49/00;H01H61/01;F16K31/02 |
主分类号 |
H01L21/00 |
代理机构 |
中科专利商标代理有限责任公司 |
代理人 |
汪惠民 |
主权项 |
1.一种半导体装置,包括:半导体基板、根据温度变化相对于所述半导体基板变位的可挠区域(2)、在所述半导体基板和所述可挠区域之间设置的连接所述半导体基板和所述可挠区域(2)的树脂制的热绝缘区域,其特征是:所述可挠区域(2)由热膨胀系数互不相同的薄膜和薄壁部组成,在所述可挠区域(2)上有若干薄膜(2M),在上述半导体基板上制作了电极柱(4)和连接布线,在每个薄膜(2M)下有用于加热的扩散电阻(6),所述半导体基板以及所述可挠区域与所述热绝缘区域连接的部分相互成梳齿状。 |
地址 |
日本大阪府 |