利用非图案化曝光减少在光阻中形成之开口内和周围的后显影缺陷之方法

摘要

在曝光与显影可用之深紫外线(DUV)敏感光阻中，吾人已观察到根据标准之先前技艺方法的曝光与显影之后，会在该半导体基板(主体)上遗留一高密度之不想要的光阻材料，称为斑点缺陷(Blob Defects)。本发明有关一种曝光与显影该光阻材料的方法，该方法减少该等斑点缺陷，使用一低位准的均匀泛曝光(flood exposure)，加上一般所使用之图案化之曝光，然后使用标准之显影。该泛曝光系在非图案化曝光5至50%的剂量对清析(dose-to-clear)的范围内。

主权项

1.一种对一层光阻材料曝光以降低斑点缺陷发生的方法,该方法包含的步骤为:用一总曝光不足于其后之一显影处理中,造成将该光阻层材料完全移除之非图案化的光,来照明该光阻材料之一表面;及用一总曝光强度足以于其后显影处理中,造成将图案特定的区中该光阻层材料完全移除之图案化的光,照明该光阻材料之表面。2.如申请专利范围第1项之方法,进一步包含将该光阻显影的步骤。3.一种对一层光阻材料曝光以降低斑点缺陷发生的方法,该方法包含的步骤为:将一层具有上表面之光阻材料层涂覆于一半导体主体的表面;以一非图案化、均匀的光曝光该光阻材料层之上表面,该光具有一曝光位准,低于需要将该光阻材料层曝光,以于其中产生想要之图案的门槛曝光位准;及以一图案化的光照明该光阻材料层之上表面,该光的曝光位准高于该非图案化、均匀的光,并具至少足够在该层光阻材料中来产生想要的图案的曝光位准。4.如申请专利范围第3项之方法,进一步包含将该光阻显影的步骤。5.如申请专利范围第3项之方法,其中该均匀曝光系为一非图案之曝光其剂量对清析比率在5%至90%的范围内。6.如申请专利范围第3项之方法,其中该均匀曝光的位准,使得在接下来的显影过程中,该光阻材料层原始厚度之0.1%至5%,从仅受到均匀曝光的区域被移除。7.如申请专利范围第3项之方法,其中该均匀曝光的位准,使得在接下来的显影过程中,该光阻材料层原始厚度之0.1%至20%,从仅受到均匀曝光的区域被移除。8.一种将对x光敏感之x光抗蚀剂材料层曝光以降低斑点缺陷发生的方法,该方法包含的步骤为:用一总曝光不足于其后之一显影处理中,造成将该x光抗蚀剂材料层完全移除之非图案化的x光,来照明该x光抗蚀剂材料层之一表面;及用一总曝光强度足以于其后显影处理中,造成将图案特定的区中该x光抗蚀剂材料层完全移除之图案化的x光,照明该x光抗蚀剂材料层之表面。9.如申请专利范围第8项之方法,进一步包含将该x光抗蚀剂层显影的步骤。10.一种将对电子束敏感之e束抗蚀剂材料层曝光以降低斑点缺陷发生的方法,该方法包含的步骤为:用一总曝光不足于其后之一显影处理中,造成将该e束抗蚀剂材料层完全移除之非图案化的电子束,来照明该e束抗蚀剂材料层之一表面;及用一总曝光强度足以于其后显影处理中,造成将图案特定的区中该e束抗蚀剂材料层完全移除之图案化的电子束,照明该e束抗蚀剂材料层之该表面。11.如申请专利范围第10项之方法,进一步包含将该e束抗蚀剂层显影的步骤。12.一种将对离子束敏感之抗蚀剂材料层曝光以降低斑点缺陷发生的方法,该方法包含的步骤为:用一总曝光不足于其后之一显影处理中,造成将该抗蚀剂材料层完全移除之非图案化的离子束,来照明该抗蚀剂材料层之一表面;及用一总曝光强度足以于其后显影处理中,造成将图案特定的区中该抗蚀剂材料层完全移除之图案化的离子束,照明该抗蚀剂材料层之表面。13.如申请专利范围第12项之方法,进一步包含将该对离子束敏感之抗蚀剂显影的步骤。图式简单说明:图1-4示一半导体主体于本发明之发明方法不同点位置;及图5示一斑点缺陷密度做为该泛曝光之函数的图。