| 主权项 |
1.一种电子装置制造方法,该方法包括下述步骤:制备具有一绝缘平面表面之基层;于该基层之平面表面上形成一金属膜;以一第一光罩选择性遮罩该金属膜,以于该金属膜上界定出一第一外露区及一第一非外露区;将该金属膜经非多孔阳极氧化,以于该金属膜第一外露区形成一密实非多孔氧化层;去除该金属膜之该第一光罩;以一第二光罩选择性遮罩该金属膜及该密实非多孔氧化层,以界定出该密实非多孔氧化层上之一第二外露区,该第二外露区系略偏离该金属膜上之非外露区;将该金属膜及该密实非多孔氧化层经多孔阳极氧化,以转化该密实非多孔氧化层及该第二外露区之该金属膜成为一多孔氧化层;及去除该金属膜及该密实非多孔氧化层之第二光罩。2.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该金属膜包含自铝、钛、钽、铌及鋡群选出之一金属。3.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该金属膜包含铝及钽。4.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该基层之制备步骤包括准备一铝板,及于该铝板形成一作为该绝缘平面表面之铝氧化层。5.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该金属膜系由铝制成,其厚度范围自1.0至2.5m,而该密实非多孔氧化层厚度范围自0.1至0.5m。6.一种电子装置制造方法,该方法包括下述步骤:制备具有一绝缘平面表面之基层;于该基层之平面表面上形成一金属膜,该金属膜具有一上表面;以一第一光罩选择性遮罩该金属膜,以于该金属膜之上表面界定出一第一外露区及复数第一非外露区,且各该第一非外露区系由该第一外露区所隔开;将该金属膜经非多孔阳极氧化,以于该金属膜第一外露区形成一密实非多孔氧化层,并界定出该金属膜第一非外露区复数导电表面接点之图形,而各该表面接点系由该密实非多孔氧化层所隔开;去除该金属膜表面接点之该第一光罩;以一第二光罩选择性遮罩该等表面接点及该密实非多孔氧化层,以界定出复数第二非外露区,各该第二非外露区至少遮盖该等表面接点其中之一,并于该密实非多孔氧化层界定一第二外露区,该第二外露区系略偏离该等表面接点;将该金属膜及该密实非多孔氧化层经多孔阳极氧化,以转化该密实非多孔氧化层及该第二外露区之该金属膜成为一多孔氧化层,并界定出由该多孔氧化层隔开之复数导电路径之一图形,而各该导电路径系自该等表面接点延伸至该基层之该平面表面;及去除该等表面接点及该密实非多孔氧化层之该第二光罩。图式简单说明:第一A至一E图为形成一电子装置之一习知方法连续实施步骤。第二A至二F图为形成一半导体装置之另一习知方法连续实施步骤,其中该半导体装置系具有多层互联结构。第三图为运用本发明之阳极氧化技术以于一铝基层形成一密实铝氧化表面之示意图。第四图为依照本发明之方法于该铝氧化表面形成一第一金属膜之示意图。第五图为依照本发明之方法而将该第一金属膜经选择性光罩步骤,以于该第一金属膜界定出第一外露及第一非外露区之示意图。第六图为依照本发明之方法而于该第一金属膜之第一外露区上形成一非多孔氧化层,并于该第一金属膜之第一非外露区上形成导电表面接点图形之示意图。第七图为依照本发明之方法而将该非多孔氧化层及表面接点经选择性光罩步骤,以于该非多孔氧化层及表面接点上界定出第二外露及第二非外露区之示意图。第八及第九图为依照本发明之方法而于该第二外露区上形成一第一层多孔氧化层,并形成一第一层导电路径图形之示意图。第十图为依照本发明之方法而于该第一层多孔氧化层、该非多孔氧化层及表面接点形成一第二金属膜之示意图。第十一图为依照本发明之方法而将该第二金属膜经选择性光罩步骤,以于该第二金属膜界定出第三外露及第三非外露区之示意图。第十二及第十三图为依照本发明之方法而于该第三外露区上形成一第二层多孔氧化层,并形成一第二层导电路径图形之示意图。 |
