发明名称 | 使用非晶硅碳罩幕蚀刻铝层的方法 | ||
摘要 | 一种蚀刻铝层的方法,其包括形成一α-碳罩幕(例如是无机非晶硅碳罩幕)。之后利用-碳罩幕并以等离子体蚀刻铝层。再以等离子体剥除α-碳罩幕。在一实施例中,此方法是在一单一程序平台上进行,其为一种对于铝蚀刻的合并方式。 | ||
申请公布号 | CN1551294A | 申请公布日期 | 2004.12.01 |
申请号 | CN200410038200.2 | 申请日期 | 2004.05.14 |
申请人 | 应用材料有限公司 | 发明人 | 瑞颖;颜春;欧伟凡 |
分类号 | H01L21/00 | 主分类号 | H01L21/00 |
代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 王学强 |
主权项 | 1.一种在铝层中蚀刻出结构的方法,该铝层形成在一半导体基底上,包括:(a)在该铝层上形成一图案化α-碳罩幕,该罩幕通过形成该铝层被保护的部分以及该铝层未被保护的部分以定义出该结构;(b)利用等离子体蚀刻该铝层未被保护的部分;以及(c)剥除该α-碳罩幕。 | ||
地址 | 美国加州 |