| 发明名称 | 具有量子阱和超晶格的基于Ⅲ族氮化物的发光二极管结构 | ||
| 摘要 | 提供一种发光二极管，它具有基于III族氮化物的超晶格和在超晶格上的基于III族氮化物的激活区。激活区具有至少一个量子阱结构。量子阱结构包括第一基于III族氮化物的阻挡层、在第一阻挡层上的基于III族氮化物的量子阱层以及第二基于III族氮化物的阻挡层。提供一种基于III族氮化物的半导体器件以及其激活区包括至少一个量子阱结构的基于III族氮化物的半导体器件的制造方法。量子阱结构包括：包含III族氮化物的阱支撑层；在阱支撑层之上的包含III族氮化物的量子阱层；以及在量子阱层之上的包含III族氮化物的覆盖层。还提供一种基于III族氮化物的半导体器件，它包括基于III族氮化物的超晶格，所述超晶格具有In<SUB>X</SUB>Ga<SUB>1－X</SUB>N和In<SUB>Y</SUB>Ga<SUB>1－Y</SUB>N的交替层的至少两个周期，其中0≤X＜1，0≤Y＜1，且X不等于Y。所述半导体器件可以是具有基于III族氮化物的激活区的发光二极管。所述激活区可以是多量子阱激活区。 | ||
| 申请公布号 | CN1552104A | 申请公布日期 | 2004.12.01 |
| 申请号 | CN02811089.7 | 申请日期 | 2002.05.23 |
| 申请人 | 克里公司 | 发明人 | D·T·埃默森;J·伊贝特森;M·J·奥罗林;H·D·小诺尔比;A·C·阿巴雷;M·J·博格曼;K·M·多维斯皮克 |
| 分类号 | H01L33/00 | 主分类号 | H01L33/00 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 杨凯;张志醒 |
| 主权项 | 1.一种基于III族氮化物的发光二极管，它包括：基于III族氮化物的超晶格；以及在所述超晶格上包括至少一个量子阱结构的基于III族氮化物的激活区，所述激活区包括第一基于III族氮化物的阻挡层；在所述第一阻挡层上基于III族氮化物的量子阱层；在所述基于III族氮化物的量子阱层上的第二基于III族氮化物的阻挡层。 | ||
| 地址 | 美国北卡罗来纳州 | ||