| 发明名称 | 自对准双侧面垂直金属－绝缘体－金属电容 | ||
| 摘要 | 本发明涉及自对准双侧面垂直金属－绝缘体－金属(MIM)电容。一种垂直MIM电容(140)，包括被夹持于一电容介电质(134)的一垂直部分周围的一第一导线(124)以及一第二导线(136)。增加的导线(136)可被垂直设置接近第一导线(124)并由电容介电质(134)的另一垂直部分分离以形成一双侧面电容(142)，从而增加电容值。多个垂直MIM电容(140，142)可被平行耦合在一起以增加电容值。 | ||
| 申请公布号 | CN1552090A | 申请公布日期 | 2004.12.01 |
| 申请号 | CN01821185.2 | 申请日期 | 2001.11.29 |
| 申请人 | 因芬尼昂技术北美公司 | 发明人 | X·J·宁 |
| 分类号 | H01L21/02 | 主分类号 | H01L21/02 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 张志醒 |
| 主权项 | 1.一种制造金属-绝缘体-金属(metal-insulator-metal，MIM)电容之方法，包括：形成一绝缘层；于该绝缘层之至少一上部内形成至少一第一导线；于该绝缘层内形成接近该第一导线之至少一沟槽；沉积一电容介电质于该绝缘层，该沟槽以及该第一导线之上；以及以一导电材料填充该沟槽以形成一第二导线。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||