| 发明名称 | 自支撑(Al,Ga,In)N以及形成自支撑(Al,Ga,In)N的分离方法 | ||
| 摘要 | 一种形成自支撑(Al，Ga，In)N制品(10)的方法，其步骤包括：提供外延相容的牺牲模板(12)；在模板(12)上沉积单晶(Al，Ga，In)N材料(16)，形成牺牲模板/(Al，Ga，In)N复合制品(10)，其中包括牺牲模板(12)与(Al，Ga，In)N材料(16)之间的界面(14)；以及对牺牲模板/(Al，Ga，In)N复合制品(10)进行界面改性，使牺牲模板(12)与(Al，Ga，In)N材料(16)分离并得到自支撑(Al，Ga，In)N制品(10)，通过这种方法制造的自支撑(Al，Ga，In)N制品(10)具有优异的形态特征，并且适于用作基体，例如，用于制造微电子和/或光电装置以及装置的先驱结构。 | ||
| 申请公布号 | CN1551824A | 申请公布日期 | 2004.12.01 |
| 申请号 | CN02817479.8 | 申请日期 | 2002.08.12 |
| 申请人 | 克利公司 | 发明人 | 罗伯特·P·沃多;乔治·R·布兰德斯;迈克尔·A·蒂施勒;迈克尔·K·凯利 |
| 分类号 | B29D22/00;B29D23/00;B32B1/08;B32B3/02;B32B3/00;C30B23/00;C30B25/00;C30B28/12;C30B28/14;C30B29/10;C30B29/38 | 主分类号 | B29D22/00 |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 张天舒;顾红霞 |
| 主权项 | 1.一种制备自支撑(Al，Ga，In)N制品的方法，包括如下步骤：提供外延相容的牺牲模板；在模板上沉积单晶(Al，Ga，In)N材料，形成牺牲模板/(Al，Ga，In)N复合制品，其中包括牺牲模板与(Al，Ga，In)N材料之间的界面；以及对牺牲模板/(Al，Ga，In)N复合制品进行界面改性，以便将牺牲模板与(Al，Ga，In)N材料分离，并得到自支撑(Al，Ga，In)N制品。 | ||
| 地址 | 美国北卡罗来纳州 | ||