发明名称 |
半导体装置及其制造方法 |
摘要 |
一种半导体装置及其制造方法,不使用昂贵的装置,以低的制造成本制造层积型MCM。介由绝缘膜2在第一半导体装置100a的半导体芯片1的表面形成第一配线3A及第二配线3B。在形成有这些第一配线3A及第二配线3B的半导体芯片1的表面粘接具有露出第二配线3B的开口部12的玻璃衬底4。另外,第三配线9自半导体芯片1的背面介由绝缘膜7向半导体芯片1的侧面延伸,连接到第一配线3A上。然后,介由开口部12将另一半导体装置100b的导电端子11B连接到第二配线3B。 |
申请公布号 |
CN1551347A |
申请公布日期 |
2004.12.01 |
申请号 |
CN200410038457.8 |
申请日期 |
2004.04.26 |
申请人 |
三洋电机株式会社 |
发明人 |
野间崇;铃木彰;篠木裕之 |
分类号 |
H01L23/52;H01L23/50;H01L21/768;H01L21/60;H01L21/00 |
主分类号 |
H01L23/52 |
代理机构 |
北京市柳沈律师事务所 |
代理人 |
李贵亮;杨梧 |
主权项 |
1、一种半导体装置,其特征在于,包括:第一配线及第二配线,所述第一配线及第二配线介由绝缘膜形成在半导体芯片的表面;支撑体,其被粘接在形成所述第一及第二配线的所述半导体芯片的表面,且具有露出所述第二配线的开口部;第三配线,其自所述半导体芯片的背面介由第二绝缘膜向所述半导体芯片的侧面延伸,并被连接到所述第一配线。 |
地址 |
日本大阪府 |