| 发明名称 | 多层膜材料的干法刻蚀方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供多层膜材料的干法刻蚀方法，它是含有金属薄膜的多层膜材料的干法刻蚀方法，其特征是将含有羰基的气体和含有卤元素的气体中的至少一种气体和电子给予性气体组合使用作为刻蚀气体的多层膜材料的干法刻蚀方法。通过这种方法，可以提高刻蚀速度和刻蚀各向异性等刻蚀特性，减少生成图案侧壁聚合物膜(9)，同时可以有效除去生成的图案侧壁聚合物膜(9)。 | ||
| 申请公布号 | CN1550575A | 申请公布日期 | 2004.12.01 |
| 申请号 | CN200410001388.3 | 申请日期 | 2004.01.07 |
| 申请人 | 株式会社瑞萨科技 | 发明人 | 川井健治 |
| 分类号 | C23F4/00;C23F1/00;G11B5/31;G11C11/15;H01L21/3065;H01L21/3213;H01L21/302 | 主分类号 | C23F4/00 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 钟守期;庞立志 |
| 主权项 | 1.多层膜材料的干法刻蚀方法，它是含有金属薄膜的多层膜材料的干法刻蚀方法，其特征是将含有羰基的气体和含有卤元素的气体中的至少一种气体和电子给予性气体组合使用作为刻蚀气体。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||