| 发明名称 | 一种制作硅氧层的方法 | ||
| 摘要 | 本发明系提供一种于一半导体晶片上制作一硅氧层的方法，包括：使用反应摩尔(mole)数比约为1∶2，流速比大于2∶1之二氯硅烷和氧化亚氮作为反应气体，进行一高温氧化工艺，以于该半导体晶片表面形成由二氧化硅(silicon dioxide)构成的硅氧层。本发明方法可增加该硅氧层的沉积速率与均匀度，并减少氯化氢的生成，以避免进行高温氧化工艺的机台受到酸气侵蚀。 | ||
| 申请公布号 | CN1178281C | 申请公布日期 | 2004.12.01 |
| 申请号 | CN02124711.0 | 申请日期 | 2002.06.21 |
| 申请人 | 联华电子股份有限公司 | 发明人 | 黄正杰;刘泽炜;余堂 |
| 分类号 | H01L21/316;H01L21/285 | 主分类号 | H01L21/316 |
| 代理机构 | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人 | 黄志华 |
| 主权项 | 1.一种于一半导体晶片上制作一硅氧层的方法，该方法包含有下列步骤：使用二氯硅烷以及氧化亚氮作为反应气体，进行一高温氧化工艺，以于该半导体晶片表面形成该硅氧层；其中该二氯硅烷以及该氧化亚氮之气体流速比大于2∶1。 | ||
| 地址 | 台湾省新竹市 | ||