半导体器件

摘要

一个半导体器件包括：一个半导体衬底(1)，它具有两种类型的活性区(20)，一个是PMOS区，一个是NMOS区，彼此间从平面来看由一个PN隔离膜(3)隔开；和一个双门极(4)，它在其上侧按直线跨过PMOS区，PN隔离膜(3)，和NMOS区。此双门极(4)包含一个P型(4a)部，一个N型部(4b)，和一个处于它们之间的PN结。此PN结包含一个硅化区(9)。该硅化区(9)与PMOS区和NMOS区相隔离，并且从平面来看是形成在PN隔离膜(3)的区域之内侧。

主权项

1.一种半导体器件，包括：半导体衬底，有两种类型的活性区，一种是PMOS区，一种是NMOS区，彼此间从平面来看被PN隔离膜所隔开；和双门极，处于该半导体衬底上侧，直线延伸而一并跨过前述PMOS区，PN隔离膜，和NMOS区，此双门极包含位于PMOS区上的P型部，位于NMOS区上的N型部，及位于P型部和N型部之间的PN结，且此PN结包含已经过硅化的硅化区，该硅化区与PMOS区和NMOS区隔开，并且从平面来看是形成在该PN隔离膜的区域内侧。