| 发明名称 | 电场脉冲感应电阻元件及利用了它的半导体器件 | ||
| 摘要 | 本发明的课题是，提供在生产率方面优越的实用性高的EPIR元件。EPIR元件是在各种基板上依次层叠了下部电极层、CMR薄膜层、上部电极层的元件。作为下部电极层的Pt多晶薄膜10包含柱状的Pt晶粒10A、10B、10C、…，但它们之中的90％以上具有(111)取向。在Pt晶粒10A、10B、10C、…的各最表面上分别局部地外延生长柱状的PCMO晶粒群20A、20B、20C、…。于是，在各PCMO晶粒群20A、20B、20C、…中所包含的晶粒在垂直于基板法线方向的晶面为(100)<SUB>p</SUB>、(110)<SUB>p</SUB>、(111)<SUB>p</SUB>中的某1个。 | ||
| 申请公布号 | CN1551239A | 申请公布日期 | 2004.12.01 |
| 申请号 | CN200410008008.9 | 申请日期 | 2004.03.05 |
| 申请人 | 夏普株式会社 | 发明人 | 铃木利昌;西汤二;藤本正之;粟屋信义;井上刚至;崎山惠三 |
| 分类号 | G11C13/00;H01L21/20 | 主分类号 | G11C13/00 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 刘宗杰;叶恺东 |
| 主权项 | 1.一种EPIR元件，它是具有按下部电极层、CMR材料薄膜层、上部电极层的顺序层叠的结构的EPIR元件，其特征在于：利用以贵金属单体或者它们的合金为主成分的金属材料形成上述下部电极层，同时该多个下部金属电极层具有(111)取向，上述CMR材料薄膜层的大量晶粒在以上述下部金属电极层的(111)面为最表面的金属晶粒上局部地外延生长。 | ||
| 地址 | 日本大阪市 | ||