半导体封装及切割槽的形成方法及其去闪光方法

摘要

本发明提供一种半导体封装的去闪光技术，用于在半导体封装的制作工序中，通过树脂成型进行密封工序之后，预先对电镀部位除去闪光，具体地说，提供一种为了除去在作为难以进行去闪光处理的部位的引线框的侧面形成的侧向闪光，在侧向闪光中形成切割槽的半导体封装及其切割槽的形成方法以及具有切割槽的半导体封装中的去闪光方法。以前，通过利用超高压水流或介质等的去闪光方式也不能干净地除去闪光，而且，利用移动照射激光束的去闪光技术也难以适用的引线框的一部分侧向闪光中，提供一种通过照射激光束等照射介质将切割槽形成至引线部的半导体封装及其切割槽的形成方法，以及具有切割槽的半导体封装中的去闪光方法，从而提高去闪光的效率和品质。

主权项

1.一种在侧向闪光中具有切割槽的半导体封装，其特征在于，在半导体封装的制作工序中，通过树脂成型进行密封工序之后，在进行电镀工序之前，预先对电镀部位除去闪光的半导体封装中，上述密封工序之后，在同时附着在半导体封装的密封部和引线部上的、位于难除去的角落部的侧向闪光中，在位于邻接密封部的部位形成切割槽。