发明名称 |
CHARGE TRANSFER DEVICE WITH DRIVE GRID |
摘要 |
L'invention concerne un dispositif à transfert de charges. De tels dispositifs comprennent au moins une grille conductrice isolée (3) reliant deux zones semiconductrices. Selon l'invention chaque grille conductrice isolée (3) a une largeur progressivement croissante de 1a première zone semiconductrice (1) vers la deuxième zone semiconductrice (2). La largeur de chaque grille (3) est suffisamment étroite pour que le puits de potentiel crée par l'application d'une tension V à la grille ait une profondeur croissant progressivement de la première zone (1) vers la deuxième zone (2), permettant ainsi l'entraînement des charges. L'invention s'applique à tout type de dispositif à transfert de charges et particulièrement aux photodiodes.
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申请公布号 |
CA2137696(C) |
申请公布日期 |
2004.11.30 |
申请号 |
CA19942137696 |
申请日期 |
1994.05.03 |
申请人 |
THOMSON-CSF SEMI CONDUCTEURS SPECIFIQUES |
发明人 |
CARANHAC, SOPHIE;THENOZ, YVES |
分类号 |
H01L27/148;H01L31/112;(IPC1-7):H01L31/072;H01L31/102 |
主分类号 |
H01L27/148 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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