| 发明名称 | 浮栅闪存场效应晶体管 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种浮栅闪存场效应晶体管，属于微电子半导体技术领域。该浮栅闪存场效应晶体管包括：源区、漏区、体以及顶栅，顶栅由多晶硅控制栅和浮栅组成，浮栅与控制栅、浮栅与体之间均设有栅氧，在顶栅的对面增加设置一背栅，背栅为掺杂的单晶硅，该背与体固定连接，形成P－N结。本发明将浮栅闪存场效应晶体管器件的顶栅的两个作用分开，用含有浮栅的顶栅单独存储数据，可避免发生为了抑制泄漏电流而不得不减弱存储数据能力的情形；用掺杂的单晶硅作为背栅，控制器件的泄漏电流，可满足90纳米以下闪存场效应晶体管器件结构的设计要求。 | ||
| 申请公布号 | CN1599081A | 申请公布日期 | 2005.03.23 |
| 申请号 | CN200410009435.9 | 申请日期 | 2004.08.17 |
| 申请人 | 北京大学 | 发明人 | 陈刚;黄如;张兴;王阳元 |
| 分类号 | H01L29/788;H01L29/772 | 主分类号 | H01L29/788 |
| 代理机构 | 北京君尚知识产权代理事务所 | 代理人 | 贾晓玲 |
| 主权项 | 1、一种浮栅闪存场效应晶体管，包括：源区、漏区、体以及顶栅，顶栅是由多晶硅控制栅和浮栅组成，浮栅与多晶硅控制栅、浮栅与体之间均设有栅氧，其特征在于：在顶栅的对面增加设置一背栅，背栅为掺杂的单晶硅，背栅与体固定连接，形成P-N结。 | ||
| 地址 | 100871北京市海淀区颐和园路5号 | ||